Изобретение может быть использовано в электронной промышленности, в технологии пропитки пористых материалов, в частности при производстве оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в том числе чип-конденсаторов.
Способ получения катодной обкладки из диоксида марганца заключается в нанесении многослойного катодного покрытия на оксидированный объёмно-пористый анод и включает в себя циклические стадии пропитки анода раствором нитрата марганца до диоксида марганца при повышенных температурах и подформовкой через каждые несколько нанесённых слоёв, причём при пропитке производят удаление воздуха из пор анода путём предварительного вакуумирования и/или медленного погружения анода в пропитывающий раствор с последующей ультразвуковой обработкой пропитываемого анода.
Изобретение обеспечивает изготовление катодной обкладки хорошего качества из уменьшенного количесва слоёв диоксида марганца и позволяет получить оксидно-полупроводниковый конденсатор с высокими электрическими характеристиками при сокращённом технологическом цикле и сниженном расходе материалов. 3 з.п. ф-лы, 4 табл., 20 пр.
Способ получения катодной обкладки из диоксида марганца заключается в нанесении многослойного катодного покрытия на оксидированный объёмно-пористый анод и включает в себя циклические стадии пропитки анода раствором нитрата марганца до диоксида марганца при повышенных температурах и подформовкой через каждые несколько нанесённых слоёв, причём при пропитке производят удаление воздуха из пор анода путём предварительного вакуумирования и/или медленного погружения анода в пропитывающий раствор с последующей ультразвуковой обработкой пропитываемого анода.
Изобретение обеспечивает изготовление катодной обкладки хорошего качества из уменьшенного количесва слоёв диоксида марганца и позволяет получить оксидно-полупроводниковый конденсатор с высокими электрическими характеристиками при сокращённом технологическом цикле и сниженном расходе материалов. 3 з.п. ф-лы, 4 табл., 20 пр.