Изобретение может быть использовано при получении солей марганца, применяемых в электронной промышленности в качестве сырья для изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов.
Способ получения гексагидрата нитрата марганца включает растворение металлического марганца в растворе азотной кислоты, фильтрацию, отделение осадка примесей, упаривание раствора до концентрации 56-57% и кристаллизацию из концентрированного раствора путем охлаждения.
Перед растворением металлический марганец измельчают до размера частиц 2,0-5,0 мм и выщелачивают разбавленной химически чистой азотной кислотой с последующей фильтрацией. Полученный раствор нитрата марганца очищают от примесей добавлением карбоната аммония и водного раствора аммиака с доведением рН до 6,5-6,7. Полученную после кристаллизации суспензию кристаллического осадка выдерживают при конечной температуре кристаллизации при постоянном перемешивании в течение 15-45 минут. Затем отделяют осадок гексагидрата нитрата марганца и промывают насыщенным раствором чистого нитрата марганца при температуре, равной конечной температуре кристаллизации.
Изобретение позволяет повысить чистоту гексагидрата нитрата марганца и улучшить электрические характеристики оксидно-полупроводниковых конденсаторов, изготовленных с его использованием. 2 табл.
Способ получения гексагидрата нитрата марганца включает растворение металлического марганца в растворе азотной кислоты, фильтрацию, отделение осадка примесей, упаривание раствора до концентрации 56-57% и кристаллизацию из концентрированного раствора путем охлаждения.
Перед растворением металлический марганец измельчают до размера частиц 2,0-5,0 мм и выщелачивают разбавленной химически чистой азотной кислотой с последующей фильтрацией. Полученный раствор нитрата марганца очищают от примесей добавлением карбоната аммония и водного раствора аммиака с доведением рН до 6,5-6,7. Полученную после кристаллизации суспензию кристаллического осадка выдерживают при конечной температуре кристаллизации при постоянном перемешивании в течение 15-45 минут. Затем отделяют осадок гексагидрата нитрата марганца и промывают насыщенным раствором чистого нитрата марганца при температуре, равной конечной температуре кристаллизации.
Изобретение позволяет повысить чистоту гексагидрата нитрата марганца и улучшить электрические характеристики оксидно-полупроводниковых конденсаторов, изготовленных с его использованием. 2 табл.
+7 (34147) 2-99-89 
elecond-market@elcudm.ru