Изобретение относится к производству изделий электронной техники, конкретно - к производству конденсаторов.
В предлагаемом способе, заключающемся в отжиге танталовой арматуры, сборке стеклотаблетки и танталовой арматуры с образованием стеклотанталового изолятора, спекании и формировании диэлектрического оксидного слоя на тантале стеклотанталового изолятора, спекание проводят в вакууме с напуском инертного газа в фазе стеклования, причём в процессе подъёма температуры осуществляют выдержку при температуре 600°С в вакууме с последующим напуском инертного газа в рабочую зону, а затем при температуре 1100-1185°С, после чего производят охлаждение до температуры 550°С и откачку инертного газа.
В результате исключаются растрескивание стекла и неудовлетворительное качество стеклоспая в стеклотанталовом изоляторе и получается конденсатор с хорошей герметичностью. 3 з. п. ф-лы.
В предлагаемом способе, заключающемся в отжиге танталовой арматуры, сборке стеклотаблетки и танталовой арматуры с образованием стеклотанталового изолятора, спекании и формировании диэлектрического оксидного слоя на тантале стеклотанталового изолятора, спекание проводят в вакууме с напуском инертного газа в фазе стеклования, причём в процессе подъёма температуры осуществляют выдержку при температуре 600°С в вакууме с последующим напуском инертного газа в рабочую зону, а затем при температуре 1100-1185°С, после чего производят охлаждение до температуры 550°С и откачку инертного газа.
В результате исключаются растрескивание стекла и неудовлетворительное качество стеклоспая в стеклотанталовом изоляторе и получается конденсатор с хорошей герметичностью. 3 з. п. ф-лы.